内容简介：根据楚天都市报的报道，长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效，自主开发的64层三维闪存产品实现量产
1月14日消息 根据楚天都市报的报道，长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效，自主开发的64层三维闪存产品实现量产。
据介绍，杨道虹表示，当前以及今后一段时间他们目前的任务是如期达成月产能10万片，在二期项目中将会达到30万片／月产能。
根据之前的介绍，长江存储科技有限责任公司早在2018年就公开发布其突破性技术——Xtacking，该技术将大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps。
根据官方的说明，采用Xtacking技术，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking 技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
现在，长江存储已成功将Xtacking 技术应用于其第二代3D NAND产品的开发，大规模量产之后，预计会有更多的储存产品用上国产芯片。
杨道虹还透露称，不仅64层三维闪存产品实现量产，更高层的三维闪存产品研发也取得阶段性成果，进一步缩短了与国际龙头企业的差距。
据悉，长江存储科技有限责任公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立，公司经营范围包括半导体集成电路科技领域内的技术开发；集成电路及相关产品的设计等。
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